GDDR7 SDRAM () — це тип синхронної графічної оперативної пам'яті, визначений стандартом напівпровідникової пам'яті JEDEC, з високою пропускною здатністю, «інтерфейсом подвійної швидкості передачі даних», призначений для використання в графічних картах, ігрових консолях та високопродуктивних обчисленнях. Це тип GDDR SDRAM (графічної DDR SDRAM), і є наступником GDDR6.
Історія На Samsung Tech Day 2022, Samsung оголосив про GDDR7 як наступника GDDR6X, який може забезпечити до 36 GT/s. Через два місяці Samsung оголосив, що буде використовувати сигналізацію PAM-3 для досягнення найвищої швидкості передачі даних. 8 березня 2023 року Cadence оголосила про інструмент для верифікації попереднього виробництва GDDR7 SDRAM. 30 червня 2023 року Micron оголосила, що вироблятиме пам'ять на основі технологічного процесу 1ß (еквівалент 12–10 нм), запланований до випуску в першій половині 2024 року. 18 липня 2023 року Samsung оголосила про перше покоління GDDR7, яке може досягти до 32 Gbps на пін (на 33% вища пропускна здатність на пін у порівнянні з 24 Gbps на пін у GDDR6), на 40% вища пропускна здатність (1.5 TB/s) у порівнянні з GDDR6 (1.1 TB/s) та на 20% енергоефективніше. Для упаковки буде використовуватися епоксидне литтєве з'єднання (EMC) разом з оптимізацією архітектури IC, що знизить тепловий опір на 70%. Пізніше, під час сесії питань та відповідей, Samsung зазначила, що виробництво буде здійснюватися з використанням процесу D1z (еквівалент 15–14 нм) і працюватиме при напрузі 1.2В. Версія на 1.1В з нижчою частотою буде доступна пізніше після випуску версії на 1.2В. 5 березня 2024 року JEDEC опублікував офіційний стандарт та специфікації графічної пам'яті GDDR7.
Технології GDDR7 SDRAM використовує сигнал PAM-3 (три-рівнева імпульсно-амплітудна модуляція) замість NRZ. PAM-3 на 20% енергоефективніше за NRZ при вищій пропускній здатності. Виробниче обладнання буде дешевше, ніж для PAM-4. PAM-3 обробляє 1.58 біта за цикл, тоді як NRZ обробляє лише 1 біт за цикл. GDDR7 SDRAM також буде вироблятися за процесом 1ß (еквівалент 12–10 нм), що буде останнім виробничим процесом DRAM, який використовує фотолітографію з глибоким ультрафіолетом (DUV); майбутні пристрої будуть вироблятися з використанням літографії з екстремальним ультрафіолетом (EUV). Примітки