Латентность (в том числе ; ) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временны́е задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трёх чисел, по порядку: латентность строба адреса столбца — Column Address Strobe (CAS) latency (CL), задержка активации строки — Row Address to Column Address Delay (TRCD) и время обновления (предзаряда) строки — Row Precharge Time (TRP). От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.

Мера латентности — такт шины памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS-латентность.

Иногда формула латентности памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется временем рабочего цикла DRAM — DRAM Cycle Time (TRAS/TRC) и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала времени активности строки — Row Active Time, так же называемого латентностью строба адреса строки — Row Address Strobe (TRAS), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления (предзаряда) строки — Row Cycle Time (TRC), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).

Тайминги Имя параметра Обозначение Определение Латентность строба адреса столбца(CAS-латентность)CL Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта. Задержка активации строки(Row Address to Column Address Delay)TRCDЧисло тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL. Время обновления (предзаряда) строки(Row Precharge Time)TRPЧисло тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL. Время активности строки(Row Active Time)TRASЧисло тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Минимальное время между активацией и предварительной зарядкой ряда памяти. Это количество циклов, в течение которых строка памяти может быть доступна для чтения/записи. Обычно примерно равно не ниже TRCD + TRP.Примечания: RAS : Row Address Strobe — строб адреса строки CAS : Column Address Strobe — строб адреса столбца TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR. TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.

CAS-латентность CAS-латентность (от , , , CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти из открытой строки и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса.

Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2,5.

На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

Примерные данные CAS-латентности памяти

+Примерные данные CAS-латентности памяти Поколение Тип Скорость передачи данных (мегатранзакций в секунду) Время передачи бита Скорость выдачи команд Длительность цикла CL 1-е слово 4-е слово 8-е слово SDRAM PC100 100 МТ/с 10 нс 100 МГц 10 нс 2 20 нс 50 нс 90 нс PC133 133 МТ/с 7,5 нс 133 МГц 7,5 нс 3 22,5 нс 45 нс 75 нс DDR SDRAM DDR-333 333 МТ/с 3 нс 166 МГц 6 нс 2,5 15 нс 24 нс 36 нс DDR-400 400 МТ/с 2,5 нс 200 МГц 5 нс 3 15 нс 22,5 нс 32,5 нс 2,5 12,5 нс 20 нс 30 нс 2 10 нс 17,5 нс 27,5 нс DDR2 SDRAM DDR2-667 667 МТ/с1,5 нс 333 МГц 3 нс 5 15 нс 19,5 нс 25,5 нс 4 12 нс 16,5 нс 22,5 нс DDR2-800 800 МТ/с 1,25 нс 400 МГц 2,5 нс 6 15 нс 18,75 нс 23,75 нс 5 12,5 нс 16,25 нс 21,25 нс 4,5 11,25 нс 15 нс 20 нс 4 10 нс 13,75 нс 18,75 нс DDR2-1066 1066 МТ/с 0,95 нс 533 МГц 1,9 нс 7 13,13 нс 15,94 нс 19,69 нс 6 11,25 нс 14,06 нс 17,81 нс 5 9,38 нс 12,19 нс 15,94 нс 4,5 8,44 нс 11,25 нс 15 нс 4 7,5 нс 10,31 нс 14,06 нс DDR3 SDRAM DDR3-1066 1066 МТ/с 0,9375 нс 533 МГц 1,875 нс 7 13,13 нс 15,95 нс 19,7 нс DDR3-1333 1333 МТ/с 0,75 нс 666 МГц 1,5 нс 9 13,5 нс 15,75 нс 18,75 нс 6 9 нс 11,25 нс 14,25 нс DDR3-1375 1375 МТ/с 0,73 нс 687 МГц 1,5 нс 5 7,27 нс 9,45 нс 12,36 нс DDR3-1600 1600 МТ/с 0,625 нс 800 МГц 1,25 нс 9 11,25 нс 13,125 нс 15,625 нс 8 10 нс 11,875 нс 14,375 нс 7 8,75 нс 10,625 нс 13,125 нс 6 7,50 нс 9,375 нс 11,875 нс DDR3-2000 2000 МТ/с 0,5 нс 1000 МГц 1 нс 10 10 нс 11,5 нс 13,5 нс 9 9 нс 10,5 нс 12,5 нс 8 8 нс 9,5 нс 11,5 нс 7 7 нс 8,5 нс 10,5 нс

Литература

Ссылки «Что такое тайминги?», Antinomy, Overclockers.ua, 28.06.2007 Тайминги Влияние частоты и таймингов оперативной памяти на производительность платформы Intel LGA 1156 3DNews Новый стандарт памяти SDRAM DDR 3. Тайминги

Категория:Компьютерная память Категория:Оперативная память