W doświadczeniach uzyskano kryształy GaN i warstwy epitaksjalne w temperaturze około 1500 °C i przy ciśnieniu około 16 kbar.

Dalsze prace zespołu pozwoliły na otrzymywanie monokryształów GaN o bardzo małej gęstości dyslokacji. W przeglądzie opublikowanym przez Izabellę Grzegory w 2001 roku wskazano, że kryształy uzyskiwane metodą wysokociśnieniową były niemal pozbawione dyslokacji i mogły służyć jako podłoża do wzrostu wysokiej jakości struktur epitaksjalnych. W pracy odnotowano również wykonanie przez Shujiego Nakamurę struktury diody LED emitującej przy długości fali 470 nm na krysztale GaN wzrastanym pod wysokim ciśnieniem.

Badania nad kryształami GaN stały się podstawą rozwoju polskiej technologii struktur kwantowych i laserów półprzewodnikowych. 12 grudnia 2001 roku zespół kierowany przez Sylwestra Porowskiego publicznie zaprezentował niebieski laser półprzewodnikowy wykorzystujący monokryształy GaN.