W zależności od typu półprzewodnika, w którym tworzony jest kanał, rozróżnia się: tranzystory z kanałem typu p, w którym prąd płynie od źródła do drenu, tranzystory z kanałem typu n, w którym prąd płynie od drenu do źródła.
Ze względu na budowę i sposób działania tranzystorów polowych, prąd bramki praktycznie nie płynie (jest rzędu mikro-, nanoamperów), dzięki temu elementy te charakteryzują się bardzo dużą rezystancją wejściową oraz dużą transkonduktancją.
Typy tranzystorów polowych right|Klasyfikacja tranzystorów polowych Odpowiednio do zasady działania rozróżnia się dwa główne typy tranzystorów polowych: złączowe (JFET, Junction FET) oraz z izolowaną bramką (IGFET, ang. Insulated Gate FET).
Tranzystory polowe złączowe
W tranzystorach tego typu bramka jest odizolowana od obszaru kanału złączem spolaryzowanym zaporowo. Ze względu na rodzaj złącza bramka-kanał rozróżnia się: tranzystory ze złączem p-n (PNFET); tranzystory ze złączem metal-półprzewodnik (MEtal-Semiconductor FET, MESFET).