Wafle ogniwowe przycinane są w kwadraty ze ścięciami przy wierzchołkach o boku 100–200 mm i grubości 200–300 μm; w przyszłości standardem ma być grubość 160 μm. W elektronice używa się wafli o średnicy 100–300 mm, a w niedalekiej przyszłości nawet 450 mm.
Tak uzyskany wafel może być następnie domieszkowany celem uzyskania pożądanych właściwości elektrycznych.
Procesy obróbki wafli Wafle są czyszczone przy użyciu słabego kwasu w celu usunięcia zbędnych cząsteczek lub naprawienia uszkodzeń powstałych podczas przecinania. W przypadku ogniw słonecznych są one następnie fakturowane dla wytworzenia nierównej powierzchni, aby zwiększyć ich efektywność. W końcu podczas wytrawiania jest usuwane szkło fosforowo-krzemowe, które tworzy się na brzegach wafli podczas procesu krystalizacji. Jeśli mają być one użyte jako podłoże dla układów scalonych, to płytki są polerowane, a następnie poddawane procesowi nanoszenia struktury układu scalonego (zwykle za pomocą fotolitografii).