Epson i JSR pracują nad sposobem produkcji tranzystorów za pomocą drukowania „atramentowego” przy użyciu , metodą nakładania obrotowego ciekłych półprzewodników.

Rozwinięciem technologii tranzystorów cienkowarstwowych jest OFET lub OTFT, w których stosuje się substancje organiczne w charakterze półprzewodnika, co jest wykorzystywane w wyświetlaczach elastycznych.

Struktura wyświetlacza Poniższy schemat nie zawiera źródła światła; jest ono przedstawione tylko symbolicznie w postaci żółtej strzałki. W rzeczywistości jako źródła światła używane są lampy fluorescencyjne z zimną katodą lub białe diody elektroluminescencyjne.

Legenda: 1 – szklane płytki 2 – poziomy polaryzator 3 – pionowy polaryzator 4 – maska kolorów RGB 5 – poziome przewody sterujące 6 – pionowe przewody sterujące 7 – warstwa polimerowa 8 – elementy dystansowe 9 – tranzystory cienkowarstwowe 10 – elektroda przednia 11 – elektrody tylne

Rodzaje matryc TFT stosowanych w wyświetlaczach ciekłokrystalicznych IPS (in-plane switching) MVA (multi-domain vertical alignment) PVA (patterned vertical alignment) AFFS (advanced fringe field switching) ASV (advanced super view) PLS (plane line switching) TN (twisted nematic) Oprócz wymienionych istnieją rozwinięcia tych technologii, na przykład S-IPS lub S-MVA.

Zobacz też LTPS-TFT OLED

Kategoria:Urządzenia wyświetlające obraz Kategoria:Tranzystory