Oscylator z diodą Gunna Oscylator z diodą Gunna – po doprowadzeniu odpowiedniego napięcia stałego na zaciski diody – „wprowadzając ją” w obszar rezystancji ujemnej, zacznie generować własne drgania. Wartość ich częstotliwości w dużej mierze zależy od materiału zastosowanego do budowy środkowego obszaru w strukturze diody o niskim stężeniu domieszek jednak parametr ten może być dalej regulowany przez inne czynniki zewnętrzne.
Zasada działania Zasada działania diody Gunna opiera się na efekcie Gunna. W niektórych materiałach (na przykład GaAs i INP), po osiągnięciu wartości progowej przez pole elektryczne w materiale ruchliwość elektronów zmniejsza się wprost proporcjonalnie do zwiększenia pola elektrycznego czego skutkiem jest powstanie ujemnej rezystancji. Urządzenie tak wykonane daje możliwość wytwarzania drgań mikrofalowych, których wartość częstotliwości zależy od właściwości próbki materiału użytego w procesie technologicznym, nie zaś od czynników zewnętrznych. Gdy natężenie pola elektrycznego w krysztale arsenku galu osiągnie wartość krytyczną na elektrodzie ujemnej, wtedy tworzony jest obszar z niską ruchliwością elektronów (silne pole elektryczne). Obszar ten przemieszcza się z prędkością odpowiadającą średniej prędkości elektronów w kierunku dodatniej elektrody.