obserwuje się wyłącznie zmianę stanu skupienia wprowadzonej substancji. Mechanizm osadzania kontrolowany jest przede wszystkim przez dobór temperatury podłoża oraz ciśnienie i skład atmosfery reakcyjnej. Celem procesu jest wytworzenie cienkich warstw, o ściśle określonym składzie, modyfikujących fizyczne i chemiczne właściwości powierzchni.
Przebieg procesu PVD Etapy podstawowe uzyskanie par materiału transport par na powierzchnię docelową kondensacja par na podłożu i wzrost powłoki Etapy wspomagające jonizacja elektryczna par i dostarczonych gazów krystalizacja z otrzymanej plazmy metalu lub fazy w stanie gazowym
Odmiany PVD naparowywanie napylanie plasma-assisted PVD wzbudzanie par wiązką elektronową – electron beam PVD osadzanie rozpylonych atomów lub jonów w polu magnetycznym – magnetron sputtering PVD osadzanie za pomocą lasera impulsowego – pulsed laser deposition (PLD) niskociśnieniowe wyładowanie łukowe – PA PVD-Arc technologie hybrydowe, w tym wieloźródłowe i wieloetapowe łukowo-magnetronowa ABS
Zobacz też chemiczne osadzanie z fazy gazowej
Literatura L.A. Dobrzański: Podstawy nauki o materiałach i metaloznawstwo: materiały inżynierskie z podstawami projektowania materiałowego. WNT,
Kategoria:Inżynieria powierzchni Kategoria:Produkcja półprzewodników