Dioda ładunkowa – dioda półprzewodnikowa składająca się z trzech warstw półprzewodnika. Wykorzystuje zjawisko, w którym przy niewielkiej zmianie ładunku między warstwami P i N następuje gwałtowna zmiana rezystancji diody, co powoduje powstanie impulsów prądu o bardzo stromych zboczach. Impuls taki pozwala otrzymać wiele częstotliwości harmonicznych przebiegu podstawowego. Znajduje zastosowanie w powielaczach wysokich częstotliwości.
Dioda ładunkowa (SRD) przy niskich częstotliwościach wykazuje charakterystykę podobną do typowej diody. Początkowo, gdy działa, wykazuje niezwykle niską impedancję wynoszącą około 1 ohm. Jednak w miarę dalszego działania impedancja zaczyna rosnąć z powodu gromadzenia się ładunku na złączu diody.
Podczas napotkania ujemnego cyklu wejściowego nośniki ładunku obecne na złączu nie są natychmiast odprowadzane lub „odłączane”. Zamiast tego wymagają one krótkiej chwili, co prowadzi do niewielkiego wzrostu prądu na początku ujemnego cyklu wejściowego. Ta wyjątkowa cecha umożliwia SRD minimalny czas przełączania, zwykle wynoszący zaledwie kilka nanosekund. Ta szybka zdolność przełączania nadaje mu potencjał do generowania ostrych, dobrze zdefiniowanych impulsów.