Magnetorezystory GMR Działają przy zastosowaniu efektu gigantycznej magnetorezystancji (GMR). Stan początkowego namagnesowania antyrównoległego można uzyskać w sposób „naturalny” w magnetorezystorach w których przekładka jest bardzo cienka – o grubości kilku atomów. Wówczas na skutek sprzężenia między dwoma warstwami magnesują się one antyrównoległe. W tego typu konstrukcjach wykryto zjawisko GMR po raz pierwszy. Ale warstw silnie sprzężone wymagają znacznych wartości pola magnetycznego do pokonania tego sprzężenia. Czujniki takie były więc o małej czułości. Dlatego w innej konstrukcji, tj. zawór spinowy, zwiększono grubość przekładki a namagnesowanie antyrównoległe uzyskuje się w sposób sztuczny, nanosząc na jedna z warstw dodatkową warstwę podmagnesowująca z antyferromagnetyka (najczęściej FeMn). Czujniki spinowe są obecnie najczęściej stosowanymi czujnikami typu GMR. Nie wykazują one tak znacznej zmiany rezystancji jak „klasyczne – naturalne” czujniki GMR. Zmian rezystancji jest rzędu kilku do kilkunastu %, ale występuje ona przy pola blisko dziesięć razy mniejszych niż w przypadku czujników klasycznych GMR.