mały|Kość EDO DRAM EDO RAM () – rodzaj dynamicznej pamięci RAM i odmiana FPM DRAM, czasem określana także jako Hyper Page Mode enabled DRAM. W pamięci EDO nowy cykl dostępu, czyli odczytu lub zapisu, może zostać rozpoczęty jeszcze w trakcie trwania poprzedniego. Pozwala to na ograniczenie przerw między operacjami, wynikających głównie z konieczności odczekania kilku cykli zegarowych na zakończenie operacji wyboru kolumny (CAS). Średni przyrost wydajności tych pamięci w stosunku do modułów FPM wynosił około 5%. Moduły EDO zostały wprowadzone do powszechnego użytku w 1995 roku wraz z wydaniem przez Intela chipsetu i430FX, który zawierał obsługę ulepszonego mechanizmu EDO.
W niektórych przypadkach moduły EDO posiadały możliwość ukończenia operacji odczytu w jednym cyklu zegara. W innym wypadku sekwencyjny odczyt pamięci z jednej strony (jeśli była już wybrana) zabierał dwa, a nie trzy cykle zegarowe. Wydajność pamięci EDO i jej możliwości pozwalały w pewnym stopniu na zastąpienie powolnej pamięci L2 procesorów. Pozwoliła ona także na podniesienie wydajności komputerów niewyposażonych w pamięć podręczną drugiego poziomu oraz obniżenie kosztów całego systemu.