Elektrony, których dotychczas „brakowało” w warstwie „p”, są przenoszone (dyfundują) do niej z warstwy „n”, zaś dziury przemieszczają się z warstwy „p” do „n”. Proces łączenia się elektronów z dziurami nazywany jest procesem rekombinacji.
Innym przypadkiem jest połączenie półprzewodnika z odpowiednim metalem, co w efekcie da złącze „M-S” (metal-semiconductor), które również posiada właściwości prostujące – jest ono używane np. w diodzie Schottky’ego. Stosowana jest ona głównie w układach wymagających krótkiego czasu przełączania (niewielka pojemność złącza Cj diody ma tutaj decydujący wpływ) z częstotliwościami do kilkudziesięciu GHz.
Rodzaje thumb|350px|Przykładowy wykres napięcia na złączu p-n przedstawionego w funkcji logarytmu prądu.(Dioda krzemowa małej mocy) thumb|350px|Charakterystyka prądowo-napięciowa typowej diody uniwersalnej. Na wykresie zaznaczono obszary, w których dioda znajduje się w stanie przebicia (breakdown), jest spolaryzowana w kierunku zaporowym (reverse) oraz przewodzenia (forward).